美光HBM4E，2027年量产

在3月份的财报电话会议两个月后，美光科技（Micron）对其前景正变得更加乐观，同时提供了关于其定制化HBM开发进展的更多细节。在摩根大通第54届年度全球科技、媒体和通信会议上，美光全球运营执行副总裁马尼什·巴蒂亚（Manish Bhatia）表示，该公司的首款HBM4E将是一款JEDEC标准产品，预计于2027年开始量产。

虽然美光在HBM4上仍在使用1-beta DRAM，但巴蒂亚表示，该公司预计将在HBM4E时代过渡到1-gamma DRAM。他还确认，标准和定制化HBM4E的逻辑晶圆（logic dies）预计都将由台积电（TSMC）制造。

当被问及定制化产品的利润率状况时，据STOCK Analysis报道，巴蒂亚强调，价值创造源于多个专有层级：设计创新、强大的核心DRAM开发以及先进封装。

他强调，定制化代表了这种价值扩张的下一步演进，并且随着价值的增加，预计客户将愿意为增加的定制化付费。

据巴蒂亚称，美光现在预计HBM、DRAM和NAND的紧缺状况将持续到2026年以后。因此，他指出，自该公司上一次财报电话会议以来，财务前景已经增强，并且有望在第三财季实现另一个实质性的创纪录自由现金流。

值得注意的是，巴蒂亚指出，虽然定价在很大程度上如预期般呈现，但需求依然非常强劲。他补充说，AI生态系统正在从人类交互转向代理（agentic）甚至机器对机器的工作流程，而这些代理工作负载正日益推动推理需求。他说，随着推理在工作负载中占据更大的份额，内存正越来越多地被客户视为一项战略资产。

在此背景下，美光在3月份表示，它已锁定了其首个战略客户协议（SCA）——与一家大客户达成的为期五年的协议。巴蒂亚表示，自那时以来，该公司在额外的SCA上取得了富有意义的进展，其他客户也对与美光建立类似的战略关系表现出浓厚的兴趣，包括在NAND领域。

在紧缺的需求中，巴蒂亚还表示，美光的全球扩张正在加速。他指出，其爱达荷州1号基地进展顺利，该公司将其晶圆产出时间表从2027年下半年提前到了2027年中期。

激增的内存需求也正推动美光位于古吉拉特邦萨南德（Sanand, Gujarat）的新半导体组装和测试工厂的产能提升，该工厂于2月下旬开始运营。在《商业标准报》（Business Standard）的另一篇报道中，在强劲的需求下，美光在印度的全部内存生产产能已被完全订满。

根据《商业标准报》此前的报道，在满负荷运转时，该工厂可能占到美光全球产量的10%，供应国内和国际市场。

据报道，美光执行副总裁兼首席商务官苏米特·萨达纳（Sumit Sadana）告诉印度媒体《经济时报》（The Economic Times），由AI繁荣引发的全球半导体内存短缺正证明比许多公司目前预期的要严重得多，尽管整个行业进行了积极的产能扩张，但这种紧缩状况可能会延伸到2028年以后。