近期，业界传出，长鑫存储计划针对服务器及PC应用的DDR4发布产品结束（EOL）通知，预计最晚在2026年上半年正式停止供货，转而全力投入DDR5及高带宽存储器（HBM）领域。此前，三星电子、SK海力士已相继公布旧制程淘汰时间表，随着二者DDR4产能逐步收缩，市场供应日益趋紧，短期内DDR4价格强势反弹。市场数据显示，受供需缺口扩大影响，中国市场上标有南亚科商标的DDR4 8Gb颗粒报价已从2024年的1美元多翻倍至2.5美元，长鑫酝酿停产DDR4正是推动价格上涨的关键因素之一。尽管EOL通知预计在第三季度发布，但下游企业反映，目前市场上长鑫DDR4产品已近乎断供。据悉，到2025年底，长鑫DDR5产能占比将超过60%，主要产品线涵盖LPDDR4、LPDDR5和DDR5。其中，低功率产品能够充分满足国内手机品牌的采购需求。不过，未来长鑫存储将不再开发标准型DDR4产品，仅保留部分产线为兆易创新代工生产，以保障消费市场的DDR4产品供应。与此同时，韩系厂商三星和SK海力士选择保留1z纳米制程的DDR4产能，该制程无需占用EUV产线，未来将维持有限供应，主要应用于消费类和嵌入式产品领域。近年来，长鑫存储积极扩张产能。早期市占率仅2%的长鑫存储，凭借持续的产能扩张，预计到2025年底单月产能将达到28万片，若进展顺利甚至有望突破30万片，届时其全球DRAM市占率将有望攀升至15%。在产能扩张的同时，长鑫存储的产品重心也在快速向DDR5转移。这一转变背后，离不开国家政策的强力推动。目前长鑫存储正全力推进HBM3的验证工作，计划于年底前完成。值得注意的是，长鑫目前产品良率和品质与国际领先水平仍存在一定差距。据台企透露，2025年第一季度获取的长鑫DDR5颗粒样品未能通过品质测试。部分国内存储器模块大厂推出的6400MT/s超频规格DDR5电竞存储器模块，仍需采用韩系厂商的颗粒才能达标。在产品性能方面，三星DDR5产品可满足-40℃至80℃的宽温标准，而长鑫存储的DDR5产品在60℃时便开始出现散热问题，低温性能表现也不容乐观。
