安森美与格罗方德就GaN器件展开合作

一、合作背景与核心目标

安森美（onsemi）与格罗方德（GlobalFoundries, GF）于2025年12月19日宣布达成战略合作，共同研发基于 200毫米增强型硅基氮化镓（eMode GaN-on-Si）工艺 的先进GaN功率器件，首款产品为 650V器件，计划于2026年上半年提供样品并快速量产。此次合作旨在整合双方技术优势，满足 AI数据中心、电动汽车、可再生能源、工业及航空航天 等高增长市场对高功率密度、高能效解决方案的迫切需求。

二、技术整合与创新

1. 工艺与系统技术互补

   • 格罗方德贡献：提供 200毫米晶圆制造能力 及 增强型硅基GaN工艺，支持更高集成度与良率。

   • 安森美贡献：集成其 硅基驱动器、控制器 及 强化散热封装技术，优化系统级性能。

   • 技术协同：通过 双向导通能力 和 高频开关特性（减少元器件数量、缩小系统尺寸），提升能效至钛金级标准。

2. 产品性能优势

   • 高功率密度：适用于物理空间受限场景（如AI服务器电源、车载充电机）。

   • 可靠性：结合格罗方德的 车规级工艺 与安森美的散热设计，满足工业与汽车严苛环境要求。

   • 成本优化：200毫米晶圆降低单位成本，适配大规模量产需求。

三、应用场景与市场定位

1. AI数据中心

   • 用于 800V直流供电系统 的电源模块，支持高功率密度与低能耗需求，适配英伟达等厂商的AI服务器架构。

2. 电动汽车

   • 集成于 车载充电机（OBC） 和 DC-DC转换器，提升充电效率与续航能力。

3. 可再生能源

   • 服务于 微型光伏逆变器 和 储能系统，优化能源转换效率。

4. 工业与航空航天

   • 用于 电机驱动器 和 高精度电源，适应振动、高温等复杂环境。

四、供应链与制造布局

1. 产能保障

   • 格罗方德在 美国佛蒙特州 的晶圆厂（获美国政府 $23M 资助）专注于GaN-on-Si技术研发，支持长期产能爬坡。

   • 安森美此前收购格罗方德纽约州300mm晶圆厂，强化 300mm产线协同，提升成本竞争力。

2. 地缘战略

   • 合作响应美国 《芯片法案》 对本土半导体制造的扶持，规避供应链风险（如台积电退出GaN代工市场）。

   • 针对中国市场需求，双方计划通过 “中国供中国”策略，利用安森美在华布局（如深圳分公司）拓展本地客户。

五、未来规划与行业影响

1. 技术路线图

   • 2026年量产 650V GaN器件 后，逐步扩展至 高压垂直GaN 和 超高压应用，完善产品矩阵。

2. 行业竞争

   • 与 英飞凌、意法半导体 等IDM厂商竞争，争夺AI数据中心与新能源汽车市场。

   • 对比台积电退出后的代工缺口，双方合作有望填补 车规级GaN产能，成为替代方案。

3. 生态合作

   • 安森美已与 英伟达、电装 等企业合作，未来或联合格罗方德推出 系统级解决方案，增强产业链话语权。

六、挑战与风险

• 技术验证周期：车规级产品需通过 AEC-Q101认证，可能延长量产进度。

• 成本控制：200毫米晶圆良率提升与供应链本土化（如美国制造成本较高）需平衡。

• 竞争加剧：英诺赛科（Innoscience）等厂商凭借 8英寸GaN产能 和低价策略抢占市场，可能挤压合作双方份额。